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中国首款DRAM芯片投产 将于年底正式交付

2019年09月20日 17:00 来源于 财新网
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长鑫存储投产的这款DRAM芯片采用19nm工艺,与国际巨头仍有差距。但该产品填补了国产DRAM芯片的空白,具有开拓意义。未来仍面临严峻挑战
资料图:芯片。经过几年摸索,中国首款自主研发的DRAM芯片投产,预计年底正式交付。图/视觉中国

  【财新网】(记者 罗国平)经过几年摸索,中国首款自主研发的DRAM芯片投产,预计年底正式交付。9月20号召开的2019世界制造业大会上,长鑫存储董事长兼首席执行官(CEO)朱一明介绍,长鑫存储研发的10纳米级第一代8Gb核心的双倍数据速率(DDR4)内存芯片已经投产。该芯片已经通过多个国内外大客户验证,将于今年年底正式交付。另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

  长鑫存储投产的这款DRAM芯片采用19nm工艺,与国际巨头仍有差距。10纳米级工艺已经历两次技术迭代,最初为1X nm工艺,介于16-19nm之间;1Y nm工艺在14-16nm之间,最新的1Z nm工艺在12-14nm之间。2019年3月,三星宣布开发1Z纳米工艺的8Gb DDR4产品。

责任编辑:覃敏 | 版面编辑:吴秋晗
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