图 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合式半导体。IGBT兼具MOS和BJT的优点,导通原理与MOSFET类似,都是通过电压驱动进行导通
:33 pm, April 24, 8:30 am - 12:15 pm, 2021, BJT Organizer: The University of Chicago Register: Click
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,研发费用率分别为8.96%、9.22%、9.85%和10.81%,逐年上升且明显高于行业均值。 新能源电动车行业快速发展 IGBT业务有望受益 IGBT是一种由双极性晶体管(BJT)和绝缘栅场效
2011年 6月 16日 星期四 17:56 BJT http://cn.reuters.com/article/chinaNews/idCNCHINA-4463920110616?sp
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