大陆芯片投资人举例称,中国大陆模拟芯片自给率在10%左右,仍有很大市场空间。一旦中国大陆的成熟制程具备性价比,将帮助模拟芯片公司在全球市场攻城略地。他预计,三年之内,中国大陆主要还是发力40纳米、55
那么的核心,如果3纳米良率提上来,叠加很多其他技术,成本、功耗可能比2纳米还低。”一名中国大陆芯片投资人对财新称。值得一提的是,三星的3纳米工艺采用了GAA(环绕栅极晶体管)技术,以取代此前在先进制程
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难预测。“未来的技术演进路线变化很大,现阶段是3纳米还是2纳米,并没有那么的核心,如果3纳米良率提上来,叠加很多其他技术,成本、功耗可能比2纳米还低。”一名中国大陆芯片投资人对财新称。值得一提的是,三
FinFET或GAAFET)的逻辑芯片;半间距不超过18纳米的DRAM存储芯片;128层或以上的NAND存储芯片。这些限制,恰好卡在中国大陆芯片制造厂商已量产的最先进工艺上。 目前,在全球半导体设备市场,中国大
手机业务线折戟。 而对于这一波的新制裁,2个月前美国设置的三条红线,恰好卡在中国大陆芯片制造厂商已量产的最先进工艺上,一名半导体投资人表示,“中芯国际、长鑫存储、长江存储最受冲击,它们可能会被卡在现有
逻辑芯片;半间距不超过18纳米的DRAM存储芯片;128层或以上的NAND存储芯片。这些限制,恰好卡在中国大陆芯片制造厂商已量产的最先进工艺上。 目前,在全球半导体设备市场,中国大陆厂商份额仍然偏低
得许可证。 三条红线恰好卡在中国大陆芯片制造厂商已量产的最先进工艺上。“中芯国际、长鑫存储、长江存储最受冲击,它们可能会被卡在现有水平上,难以向更先进工艺迈进。”一名国资储、半导体投资人直言。在
红线——16纳米或14纳米或以下非平面晶体管架构(即FinFET或GAAFET)的逻辑芯片;半间距不超过18纳米的DRAM存储芯片;128层或以上的NAND存储芯片。 三条红线恰好卡在中国大陆芯片制造
DRAM存储芯片;128层或以上的NAND存储芯片。 三条红线恰好卡在中国大陆芯片制造厂商已量产的最先进工艺上。“中芯国际、长鑫存储、长江存储最受冲击,它们可能会被卡在现有水平上,难以向更先进工艺迈进
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那么的核心,如果3纳米良率提上来,叠加很多其他技术,成本、功耗可能比2纳米还低。”一名中国大陆芯片投资人对财新称。值得一提的是,三星的3纳米工艺采用了GAA(环绕栅极晶体管)技术,以取代此前在先进制程
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难预测。“未来的技术演进路线变化很大,现阶段是3纳米还是2纳米,并没有那么的核心,如果3纳米良率提上来,叠加很多其他技术,成本、功耗可能比2纳米还低。”一名中国大陆芯片投资人对财新称。值得一提的是,三
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FinFET或GAAFET)的逻辑芯片;半间距不超过18纳米的DRAM存储芯片;128层或以上的NAND存储芯片。这些限制,恰好卡在中国大陆芯片制造厂商已量产的最先进工艺上。 目前,在全球半导体设备市场,中国大
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手机业务线折戟。 而对于这一波的新制裁,2个月前美国设置的三条红线,恰好卡在中国大陆芯片制造厂商已量产的最先进工艺上,一名半导体投资人表示,“中芯国际、长鑫存储、长江存储最受冲击,它们可能会被卡在现有
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得许可证。 三条红线恰好卡在中国大陆芯片制造厂商已量产的最先进工艺上。“中芯国际、长鑫存储、长江存储最受冲击,它们可能会被卡在现有水平上,难以向更先进工艺迈进。”一名国资储、半导体投资人直言。在
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红线——16纳米或14纳米或以下非平面晶体管架构(即FinFET或GAAFET)的逻辑芯片;半间距不超过18纳米的DRAM存储芯片;128层或以上的NAND存储芯片。 三条红线恰好卡在中国大陆芯片制造
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DRAM存储芯片;128层或以上的NAND存储芯片。 三条红线恰好卡在中国大陆芯片制造厂商已量产的最先进工艺上。“中芯国际、长鑫存储、长江存储最受冲击,它们可能会被卡在现有水平上,难以向更先进工艺迈进
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