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印下来的图案加工到所需的材料上，最终得到成品。传统的光刻技术主要使用光子衍射，而纳米压印主要使用电子衍射，后者比前者的衍射极限更小，也就是说后者可以达到更大的分辨率。 目前，纳米压印光刻机的制造成本只
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500W左右， 难以支撑下一代光刻技术的进一步发展。 因此在这个时候，加速器光源又被提了出来。 SSMB概念，是斯坦福线性加速器中心的赵午教授和他的博士生Daniel Ratner在2010年提出的。唐传祥
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研发的EUV（极紫外光刻）技术，公司大量研发在美国。此外，其光刻机产品用到的光源、光栅等光学元件严重依赖美系供应商，2022年阿斯麦采购自北美地区的光刻机组件金额占总采购金额的13%。 另一边，中国大
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不甘放弃中国市场。阿斯麦能从一家名不见经传的荷兰光刻机创业公司击败日本尼康、佳能，成为具有垄断地位的光刻机供应商，靠的正是美国协助研发的EUV（极紫外光刻）技术，公司大量研发在美国。此外，其光刻机产品
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后推出三款GPU芯片，使用H100 GPU 芯片的处理速度比现在广泛使用的A100 GPU芯片要快10倍，新型的光刻技术将使计算光刻速度加速40倍以上，同时能耗降低七分之六。 “这两者的结合使得我们必
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美国协助研发的EUV技术。上世纪90年代，英特尔为了促进光刻技术发展，联合政府成立了EUV技术联盟，美国三大国家实验室——劳伦斯利弗莫尔国家实验室、桑迪亚国家实验室和劳伦斯伯克利实验室——均是该联盟成
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件金额占到了总采购金额的13%，光源、光栅等光学元件严重依赖美系供应商。 事实上，阿斯麦能在2009年击败此前独霸天下的尼康、佳能，靠的就是美国协助研发的EUV技术。上世纪90年代，英特尔为了促进光刻
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创造性地采用了计算轴向光刻技术（CAL）打印玻璃。该技术能够将预先计算的光图案序列数字投影到树脂容器中，随着时间的推移，累积的光暴露穿过聚合阈值的区域变为实心，而不穿过该阈值的区域保持未固化，从而一次
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