【彭博10月16日电】韩国Nand闪存芯片出口一年来首次增长,进一步证明半导体市场需求滑坡正在触底反弹。 韩国贸易部周一发布,9月份Nand闪存芯片出口同比增长5.6%,8月份时下降8.9%。作为存
取存储器)和NAND(闪存)均价将全面上涨。其中,市场调研机构集邦咨询10月13日发布的报告称,DRAM价格预计会在四季度上涨约3%~8%。 亿航飞行汽车适航认证取得重要进展 10月13日,飞行汽车企
热评:
许可,即可向在华工厂提供设备。 2022年10月7日,美国升级对中国半导体行业的出口管制措施,包括限制用于在中国生产18纳米及以下DRAM(动态随机存取存储器)芯片、128层及以上NAND(闪存)芯片
【财新网】头部公司持续减产,存储芯片价格反弹。近日,多家市场调研机构预测,第四季度起,DRAM(动态随机存取存储器)和NAND(闪存)均价将全面上涨。 10月13日,市场调研机构集邦咨询发布报告称
and Ohio are aimed at sharing in the subsidies from the "Chip Act". 英特尔进入中国已有约30年,曾重点投资过中国市场,其在大连建造的NAND(闪
DRAM(动态随机存取存储器)、128层及以上NAND(闪存)、14纳米及以下逻辑芯片的生产设备的出口。随后,三星、SK海力士得到美国商务部授权,可以在不获取个别许可的前提下,为其在中国的工厂供应所需的
进入中国已有约30年,曾重点投资过中国市场,其在大连建造的NAND(闪存)工厂是第三座海外晶圆厂。2020年,英特尔退出NAND存储业务,该工厂被韩国存储巨头SK海力士以90亿美元价格拿下,并将于
美国亚利桑那、俄亥俄等州的投资建厂,都意在分羹《芯片法案》补贴。 英特尔进入中国已有约30年,曾重点投资过中国市场,其在大连建造的NAND(闪存)工厂是第三座海外晶圆厂。2020年,英特尔退出NAND
200毫米)或更小的硅片,或直径小于等于6英寸(或150毫米)的复合晶圆;28纳米及以上的逻辑芯片,半间距大于18纳米的DRAM和层数少于128层的NAND闪存芯片。FinFET或GAAFET芯片、使
图片
视频
取存储器)和NAND(闪存)均价将全面上涨。其中,市场调研机构集邦咨询10月13日发布的报告称,DRAM价格预计会在四季度上涨约3%~8%。 亿航飞行汽车适航认证取得重要进展 10月13日,飞行汽车企
热评:
许可,即可向在华工厂提供设备。 2022年10月7日,美国升级对中国半导体行业的出口管制措施,包括限制用于在中国生产18纳米及以下DRAM(动态随机存取存储器)芯片、128层及以上NAND(闪存)芯片
热评:
【财新网】头部公司持续减产,存储芯片价格反弹。近日,多家市场调研机构预测,第四季度起,DRAM(动态随机存取存储器)和NAND(闪存)均价将全面上涨。 10月13日,市场调研机构集邦咨询发布报告称
热评:
and Ohio are aimed at sharing in the subsidies from the "Chip Act". 英特尔进入中国已有约30年,曾重点投资过中国市场,其在大连建造的NAND(闪
热评:
DRAM(动态随机存取存储器)、128层及以上NAND(闪存)、14纳米及以下逻辑芯片的生产设备的出口。随后,三星、SK海力士得到美国商务部授权,可以在不获取个别许可的前提下,为其在中国的工厂供应所需的
热评:
进入中国已有约30年,曾重点投资过中国市场,其在大连建造的NAND(闪存)工厂是第三座海外晶圆厂。2020年,英特尔退出NAND存储业务,该工厂被韩国存储巨头SK海力士以90亿美元价格拿下,并将于
热评:
美国亚利桑那、俄亥俄等州的投资建厂,都意在分羹《芯片法案》补贴。 英特尔进入中国已有约30年,曾重点投资过中国市场,其在大连建造的NAND(闪存)工厂是第三座海外晶圆厂。2020年,英特尔退出NAND
热评:
200毫米)或更小的硅片,或直径小于等于6英寸(或150毫米)的复合晶圆;28纳米及以上的逻辑芯片,半间距大于18纳米的DRAM和层数少于128层的NAND闪存芯片。FinFET或GAAFET芯片、使
热评: