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DRAM（动态随机存储）和NAND（闪存）两大市场的占有率分别为40.7%和31.4%。该机构数据还显示，2022年第四季度，全球DRAM产品整体售价下滑幅度约为20%~25%，且预计2023年第一季度将继
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话会上表示，他预计到2023年中，下游客户库存才能回到相对健康的水平。随着库存去化，美光预计2023年存储需求量将重回增长，其中DRAM（动态随机存储）将增长10%，而NAND（闪存）将增长20
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片龙头。市场调研机构集邦咨询数据显示，2022年第二季度，三星在DRAM（动态随机存储）和NAND（闪存）两大市场的占有率分别为43.5%和33%，均排名第一。存储市场的波动势必对三星造成较大影响
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季度，SK海力士运营利润为1.66万亿韩元，环比、同比分别减少61%、60%，毛利率由去年同期的49%和上季度的46%降至35%。 SK海力士主营NAND（闪存）和DRAM（动态随机存储）业务，三季度
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升级了对中国半导体行业的出口管制措施，包括限制用于在中国生产18纳米以下DRAM（动态随机存取存储器）、128层以上NAND闪存、14纳米以下逻辑芯片的生产设备的出口。三星、海力士、英特尔三家外资企业
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【财新网】美国10月7日升级了对中国半导体行业的出口管制措施，包括限制用于在中国生产18纳米以下DRAM（动态随机存取存储器）、128层以上NAND闪存、14纳米以下逻辑芯片的生产设备的出口。三星
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以下非平面晶体管架构（即FinFET或GAAFET）的逻辑芯片；半间距不超过18nm的DRAM存储芯片；128层或更高的NAND闪存芯片。（详见财新网报道《美国半导体出口管制 欲打压中国超算、数据中心
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芯片； 半间距不超过18nm的DRAM存储芯片； 128层或更多的NAND闪存芯片。 限制美国人士在没有许可证的情况下，在中国境内的某些半导体制造“设施”支持集成电路的开发或生产。BIS称，有必要控制
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