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星的3纳米工艺采用了GAA（环绕栅极晶体管）技术，以取代此前在先进制程上长期采用的FinFET（鳍式场效应晶体管）。台积电则计划在2025年量产的2纳米工艺中应用GAA技术。 2022年11月5日，上
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FinFET或GAAFET）的逻辑芯片；半间距不超过18纳米的DRAM存储芯片；128层或以上的NAND存储芯片。这些限制，恰好卡在中国大陆芯片制造厂商已量产的最先进工艺上。 目前，在全球半导体设备市场，中国大
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施出口限制。而这一块，中国国产替代的短板明显。 在10月7日的禁售新政中，美国政府对芯片制造设备和相关物项划出三条“红线”——16纳米或14纳米或以下非平面晶体管架构（即FinFET或GAAFET）的
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对芯片制造设备和相关物项划出三条红线一16纳米或14纳米或以下非平面晶体管架构 （即FinFET或GAAFET）的逻辑芯片，半间距不超过18纳米的DRAM存储芯片，128层或以上的NAND存储芯片。对
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条红线——16纳米或14纳米或以下非平面晶体管架构（即FinFET或GAAFET）的逻辑芯片；半间距不超过18纳米的DRAM存储芯片；128层或以上的 NAND存储芯片。向达到上述标准的中国芯片厂商出
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或以下，非平面晶体管架构（即FinFET或GAAFET）的逻辑芯片；半间距不超过18纳米的DRAM（动态随机存储）芯片；128层或更多的NAND（非易失性存储）芯片。中资芯片厂如果想要进口上述范围内的
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18日，南京，市民在世界半导体大会上参观台积电展区的16/12纳米FinFET芯片。 商业利益弃之不顾，阻滞中国的半导体先进算力、封死先进制程，让中国高科技产业停在当下，无法更上层楼——美国的这些政策
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（CCL）。中国境内的半导体生产“设施”制造的集成电路达到特定阈值，那么向这些设施出口产品便需遵循新的许可证要求。相关阈值如下：16nm或14nm或以下非平面晶体管架构（即FinFET或GAAFET）的逻辑
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